NCP302150MNTWG
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：31-PowerWFQFN
技术参数：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE PQFN31
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参数详情：
制造商产品型号：NCP302150MNTWG制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE PQFN31产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）系列：-零件状态：有源驱动配置：高压侧或低压侧通道类型：单路驱动器数：2栅极类型：N 沟道 MOSFET电压-供电：4.5V ~ 5.5V逻辑电压?-VIL，VIH：0.7V，2.65V电流-峰值输出（灌入，拉出）：2A，2.5A输入类型：非反相高压侧电压-最大值（自举）：35V上升/下降时间（典型值）：12ns，6ns工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型产品封装：31-PowerWFQFNNCP302150MNTWG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
