NCP303150DMNTWG
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:39-PowerVFQFN
技术参数:IC DRIVER/MOSFET 39PQFN
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参数详情:
制造商产品型号:NCP303150DMNTWG制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:IC DRIVER/MOSFET 39PQFN产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器包装:卷带(TR)系列:-零件状态:有源驱动配置:半桥,低压侧通道类型:单路驱动器数:2栅极类型:N 沟道 MOSFET电压-供电:4.5V ~ 5.5V逻辑电压?-VIL,VIH:0.65V,2.7V电流-峰值输出(灌入,拉出):100mA,100mA输入类型:非反相高压侧电压-最大值(自举):30V上升/下降时间(典型值):17ns,26ns工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)安装类型:表面贴装型产品封装:39-PowerVFQFNNCP303150DMNTWG的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。