NCP3418DR2G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
（专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：NCP3418DR2G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）系列：-零件状态：停产驱动配置：半桥通道类型：同步驱动器数：2栅极类型：N 沟道 MOSFET电压-供电：4.6V ~ 13.2V逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2V电流-峰值输出（灌入，拉出）：-输入类型：非反相高压侧电压-最大值（自举）：30V上升/下降时间（典型值）：18ns，10ns工作温度：0°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）NCP3418DR2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
