NCV51511PDR2G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
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参数详情：
制造商产品型号：NCV51511PDR2G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）系列：Automotive, AEC-Q100零件状态：有源驱动配置：高压侧或低压侧通道类型：同步驱动器数：2栅极类型：N 沟道 MOSFET电压-供电：8V ~ 16V逻辑电压?-VIL，VIH：2V，1.8V电流-峰值输出（灌入，拉出）：3A，6A输入类型：非反相高压侧电压-最大值（自举）：100V上升/下降时间（典型值）：6ns，4ns工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）NCV51511PDR2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
