NCV5705BDR2G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：表面贴装型
技术参数：IGBT GATE DRIVERS, HIGH-CURRENT
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参数详情：
制造商产品型号：NCV5705BDR2G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT GATE DRIVERS, HIGH-CURRENT产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：1系列：卷带（TR）,剪切带（CT）零件状态：Automotive, AEC-Q100驱动配置：有源通道类型：半桥驱动器数：单路栅极类型：1电压-供电：IGBT逻辑电压?-VIL，VIH：20V（最大）电流-峰值输出（灌入，拉出）：0，5V，4，5V输入类型：4A，6A高压侧电压-最大值（自举）：反相上升/下降时间（典型值）：-工作温度：9.2ns，7.9ns安装类型：-40°C ~ 125°C（TA）产品封装：表面贴装型NCV5705BDR2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
