NCV57080ADR2G
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
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参数详情:
制造商产品型号:NCV57080ADR2G制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE系列:隔离器 - 栅极驱动器产品系列:Automotive, AEC-Q100零件状态:有源技术:容性耦合通道数:1电压-隔离:1200Vrms共模瞬变抗扰度(最小值):100kV/μs传播延迟tpLH/tpHL(最大值):85ns,85ns脉宽失真(最大):-上升/下降时间(典型值):13ns,13ns电流-输出高、低:8A,8A电流-峰值输出:8A电压-正向(Vf)(典型值):-电流-DC正向(If)(最大值):-电压-?输出供电:0V ~ 32V工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOICNCV57080ADR2G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。