NDD02N60ZT4G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DPAK
技术参数：MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
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参数详情：
制造商产品型号：NDD02N60ZT4G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.2A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 欧姆 @ 1A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：325pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：57W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DPAKNDD02N60ZT4G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
