NGB8206ANT4G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：单路IGBT，D2PAK
技术参数：IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
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参数详情：
制造商产品型号：NGB8206ANT4G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 390V 20A 150W D2PAK3系列：-IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：390V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：50A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 4.5V，20A功率 - 最大值：150WSwitching Energy：-输入类型：逻辑Gate Charge：-25°C 时 Td（开/关）值：-/5μsTest Condition：300V，9A，1 千欧，5V反向恢复时间 (trr)：-产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：D2PAKNGB8206ANT4G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
