NGD8209NT4G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：IGBT - 单路，TO-252-3，DPak
技术参数：IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
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参数详情：
制造商产品型号: NGD8209NT4G制造厂家名称: ON Semiconductor功能总体简述: IGBT 410V 12A 125W DPAK-3系列: -IGBT 类型: -电压 - 集射极击穿（最大值）: 445V电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 12A脉冲电流 - 集电极 (Icm): 30A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.3V @ 4.5V，10A功率 - 最大值: 94W开关能量: -输入类型: 逻辑栅极电荷: -25°C 时 Td（开/关）值: -测试条件: -反向恢复时间（trr）: -产品封装: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63安装类型: 表面贴装供应商器件封装: DPAKNGD8209NT4G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
