NGTB03N60R2DT4G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 9A 600V DPAK
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参数详情：
制造商产品型号：NGTB03N60R2DT4G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 9A 600V DPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：9A电流-集电极脉冲(Icm)：12A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，3A功率-最大值：49W开关能量：50μJ（开），27μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：17nC25°C时Td（开/关）值：27ns/59ns测试条件：300V，3A，30 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：65ns工作温度：175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63NGTB03N60R2DT4G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
