NGTB10N60FG
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 整包
技术参数：IGBT 600V 10A TO220F3
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参数详情：
制造商产品型号：NGTB10N60FG制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 600V 10A TO220F3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：20A电流-集电极脉冲(Icm)：72A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，10A功率-最大值：40W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：55nC25°C时Td（开/关）值：40ns/145ns测试条件：300V，10A，30 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：70ns工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包NGTB10N60FG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
