NGTB20N120LWG
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
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参数详情：
制造商产品型号：NGTB20N120LWG制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 1200V 40A 192W TO247-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：200A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，20A功率-最大值：192W开关能量：3.1mJ（开），700μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：200nC25°C时Td（开/关）值：86ns/235ns测试条件：600V，20A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3NGTB20N120LWG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
