NGTB30N60SWG
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 600V 60A 189W TO247
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参数详情：
制造商产品型号：NGTB30N60SWG制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 600V 60A 189W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A功率-最大值：189W开关能量：750μJ（开），540μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：90nC25°C时Td（开/关）值：57ns/109ns测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：200ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3NGTB30N60SWG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
