NGTB45N60S1WG
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 45A 600V TO-247
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参数详情：
制造商产品型号：NGTB45N60S1WG制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 45A 600V TO-247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟道电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：90A电流-集电极脉冲(Icm)：180A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，45A功率-最大值：300W开关能量：1.25mJ（开），530μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：125nC25°C时Td（开/关）值：72ns/132ns测试条件：400V，45A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：70ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3NGTB45N60S1WG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
