NGTD20T120F2WP
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：模具
技术参数：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
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参数详情：
制造商产品型号：NGTD20T120F2WP制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：-电流-集电极脉冲(Icm)：100A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，20A功率-最大值：-开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：模具NGTD20T120F2WP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
