NTBG020N090SC1
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D2PAK-7
技术参数：SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
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参数详情：
制造商产品型号：NTBG020N090SC1制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：900V25°C时电流-连续漏极(Id)：9.8A（Ta），112A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 60A，15V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 20mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：200nC @ 15VVgs（最大值）：+19V，-10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4415pF @ 450VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），477W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK-7NTBG020N090SC1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
