NTD3813N-1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：I-PAK
技术参数：MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
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参数详情：
制造商产品型号：NTD3813N-1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：16V25°C时电流-连续漏极(Id)：9.6A（Ta），51A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.75 毫欧 @ 15A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.8nC @ 4.5VVgs（最大值）：±16V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：963pF @ 12VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.2W（Ta），34.9W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I-PAKNTD3813N-1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
