NTD4806NA-35G
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:I-PAK
技术参数:MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
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参数详情:
制造商产品型号:NTD4806NA-35G制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):11.3A(Ta),79A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6 毫欧 @ 30A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5VVgs(最大值):-不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2142pF @ 12VFET功能:-功率耗散(最大值):-工作温度:-安装类型:通孔器件封装:I-PAKNTD4806NA-35G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。