NTJD4105CT4G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
技术参数：MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
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参数详情：
制造商产品型号：NTJD4105CT4G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V，8V25°C时电流-连续漏极(Id)：630mA，775mA不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：375 毫欧 @ 630mA，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：46pF @ 20V功率-最大值：270mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363NTJD4105CT4G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
