NTLLD4951NFTWG
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
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参数详情：
制造商产品型号：NTLLD4951NFTWG制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A，6.3A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17.4 毫欧 @ 9A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：605pF @ 15V功率-最大值：800mW，810mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerWDFNNTLLD4951NFTWG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
