NTMFD1D4N02P1E
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
技术参数：MOSFET N-CH 20V 8PQFN
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参数详情：
制造商产品型号：NTMFD1D4N02P1E制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 20V 8PQFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA，2V @ 800μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1180pF @ 13V，3603pF @ 13V功率-最大值：960mW（Ta），1W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerWDFNNTMFD1D4N02P1E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
