NTMFD4C88NT1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
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参数详情：
制造商产品型号：NTMFD4C88NT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET 2N-CH 30V 8DFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：11.7A，14.2A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.4 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22.2nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1252pF @ 15V功率-最大值：1.1W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFNNTMFD4C88NT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
