NTMS4N01R2G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOIC
技术参数：MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
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参数详情：
制造商产品型号：NTMS4N01R2G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 4.2A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5VVgs（最大值）：±10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1200pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：770mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SOICNTMS4N01R2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
