NTP8G202NG
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220-3
技术参数:GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
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参数详情:
制造商产品型号:NTP8G202NG制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:GANFET N-CH 600V 9A TO220-3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:停产FET类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):8V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):350 毫欧 @ 5.5A,8V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.6V @ 500μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):9.3nC @ 4.5VVgs(最大值):±18V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):760pF @ 400VFET功能:-功率耗散(最大值):65W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-220-3NTP8G202NG的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。