NTP8G206NG
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220-3
技术参数：GANFET N-CH 600V 17A TO220-3
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参数详情：
制造商产品型号：NTP8G206NG制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：GANFET N-CH 600V 17A TO220-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 11A，8V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 500μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.3nC @ 4.5VVgs（最大值）：±18V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：760pF @ 480VFET功能：-功率耗散（最大值）：96W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220-3NTP8G206NG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
