NTTD1P02R2
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
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参数详情：
制造商产品型号：NTTD1P02R2制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：2 个 P 沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.45A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 1.45A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：265pF @ 16V功率-最大值：500mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）NTTD1P02R2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
