NTTFD4D0N04HLTWG
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：12-PowerWQFN
技术参数：MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
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参数详情：
制造商产品型号：NTTFD4D0N04HLTWG制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），60A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 50μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 20V功率-最大值：1.7W（Ta），26W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：12-PowerWQFNNTTFD4D0N04HLTWG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
