NTZD3152PT1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-563，SOT-666
技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
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参数详情：
制造商产品型号：NTZD3152PT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 个 P 沟道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：430mA不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 430mA，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：175pF @ 16V功率-最大值：250mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：SOT-563，SOT-666NTZD3152PT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
