NTZS3151PT1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-563
技术参数：MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
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参数详情：
制造商产品型号：NTZS3151PT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：860mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 950mA，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.6nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：458pF @ 16VFET功能：-功率耗散（最大值）：170mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-563NTZS3151PT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
