NVD14N03RT4G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：单端场效应管，DPAK-3
技术参数：MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
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参数详情：
制造商产品型号：NVD14N03RT4G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 25V 14A DPAK系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.8nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：115pF @ 20V功率 - 最大值：1.04W安装类型：表面贴装产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：DPAK-3NVD14N03RT4G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
