NVMFD5877NLT1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
（专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：NVMFD5877NLT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：不適用於新設計FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：6A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 7.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：540pF @ 25V功率-最大值：3.2W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFNNVMFD5877NLT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
