NVMFS5A160PLZT1G
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
技术参数:MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
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参数详情:
制造商产品型号:NVMFS5A160PLZT1G制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):15A(Ta),100A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):7.7 毫欧 @ 50A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):160nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7700pF @ 20VFET功能:-功率耗散(最大值):3.8W(Ta),200W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)NVMFS5A160PLZT1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。