NVMFS6H818NLT1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
技术参数：MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
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参数详情：
制造商产品型号：NVMFS6H818NLT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：80V25°C时电流-连续漏极(Id)：22A（Ta），135A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.2 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 190μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：64nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3844pF @ 40VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），140W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）NVMFS6H818NLT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
