NVMFWD016N06CT1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
技术参数：MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL
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参数详情：
制造商产品型号：NVMFWD016N06CT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），32A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16.3 毫欧 @ 5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 25μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.9nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：489pF @ 30V功率-最大值：3.1W（Ta），36W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFNNVMFWD016N06CT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
