NVMFWD024N06CT1G
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerTDFN
技术参数:MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL
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参数详情:
制造商产品型号:NVMFWD024N06CT1G制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Ta),24A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):22.6 毫欧 @ 3A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 20μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.7nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):333pF @ 30V功率-最大值:3.1W(Ta),28W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerTDFNNVMFWD024N06CT1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。