NVTFS5826NLTWG
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：单端场效应管，8-WDFN
技术参数：MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
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参数详情：
制造商产品型号：NVTFS5826NLTWG制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.6A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：850pF @ 25V功率 - 最大值：3.2W安装类型：表面贴装产品封装：8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）NVTFS5826NLTWG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
