NXH50C120L2C2ES1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
技术参数：IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
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参数详情：
制造商产品型号：NXH50C120L2C2ES1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT MOD 1200V 50A 26DIP系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：有源IGBT类型：-配置：三相反相器，带制动器电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：50A功率-最大值：20mW不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，50A电流-集电极截止（最大值）：250μA不同?Vce时输入电容(Cies)：11.89nF @ 20V输入：三相桥式整流器NTC热敏电阻：是工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）NXH50C120L2C2ES1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
