SBAS116LT1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：二极管 - 整流器 - 单，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
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参数详情：
制造商产品型号：SBAS116LT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3系列：二极管 - 整流器 - 单产品系列：-零件状态：有源二极管类型：标准电压-DC反向(Vr)（最大值）：75V电流-平均整流(Io)：200mA（DC）不同If时电压-正向(Vf)：1.25V @ 150mA速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间(trr)：3μs不同Vr时电流-反向泄漏：5nA @ 75V不同?Vr、F时电容：2pF @ 0V，1MHz安装类型：表面贴装型封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）SBAS116LT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
