SGP23N60UFDTU
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT 600V 23A 100W TO220
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参数详情：
制造商产品型号：SGP23N60UFDTU制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 600V 23A 100W TO220系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：不適用於新設計IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：23A电流-集电极脉冲(Icm)：92A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，12A功率-最大值：100W开关能量：115μJ（开），135μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：49nC25°C时Td（开/关）值：17ns/60ns测试条件：300V，12A，23 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：60ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3SGP23N60UFDTU的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
