SGP5N60RUFDTU
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT 600V 8A 60W TO220
（专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：SGP5N60RUFDTU制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 600V 8A 60W TO220系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：8A电流-集电极脉冲(Icm)：15A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，5A功率-最大值：60W开关能量：88μJ（开），107μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：16nC25°C时Td（开/关）值：13ns/34ns测试条件：300V，5A，40 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：55ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3SGP5N60RUFDTU的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
