SMMJT350T3G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-261-4，TO-261AA
技术参数：BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
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参数详情：
制造商产品型号：SMMJT350T3G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：BIP S0T223 PNP 0.5A 300V系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源晶体管类型：PNP电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA电压-集射极击穿（最大值）：300V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：-电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：30 @ 50mA，10V功率-最大值：2.75W频率-跃迁：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-261-4，TO-261AASMMJT350T3G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
